Samsung 第二代 10 納米 FinFET 開發完成

Samsung 第二代 10 納米 FinFET 生產流程已經開發完成，未來爭取 10 納米產品生產訂單。

Samsung 第一代 10 納米生產流程於去年 10 月領先同業導入量產，目前 Samsung Exynos 9 與高通驍龍 835 CPU 都是以第一代 10 納米生產流程生產。

Samsung 第二代 10 帑米 FinFET 生產流程相比第一代，運算效能提升 10%，用電效率提高 15%。

Samsung 為確保 10 納米生產流程長期貨源供應穩定，在首爾西南方華城市的最新晶片廠已經增添新設備，預計今年第四季可就開始生產。