國家記憶體基地項目一期 明年投產

中國投資 240 億美元的國家記憶體基地項目（一期）的一號生產及動力廠房，於上星期四提前封頂，預計明年起投入使用，待新廠全面建成後，該項目年產量預計超過 100 億美元。

中國國家記憶體基地項目位於武漢東湖高新區武漢未來科技城，一期工程於 2016 年 12 月 30 日正式動工，規劃 3 座全球單座潔淨面積最大廠房、一座總部研發大樓和其他若干配套建築物，其核心生產廠房和設備每平方公尺的投資強度超過 3 萬美元。

中國國家記憶體基地項目是湖北省單體投資最大的高科技產業項目，項目一期達產後，預計可實現月產 30 萬片 12 吋晶圓，年產值將超過 100 億美元，預計到 2030 年月產能將提升至 100 萬片。

目前，武漢東湖高新區已經成為中國國家記憶體基地項目規劃建設 1100 畝配套產業園區和 1500 畝國際社區用地，正加快引進產業鏈頂級配套企業和國際化人才。同時亦加快興建武漢國際微電子學院，組建長江晶片研究院、國家先進存儲產業創新中心、存儲晶片聯盟、國家 IP 交易中心等，致力打造世界級積體電路產業創新中心。