韓國成功開發 比矽功能強100倍的新材料

韓國蔚山科技大學能源及化學工程學系教授白鐘範研究團隊，成功開發出比矽功能強100倍的新材料，氮碳合成物。

目前用於半導體製造的矽在狹窄的空間裡製造多條電路，因過熱而出現故障或遭到損失。雖然Samsung上月開發出電路線幅度10納米（1納米=10億分之1米）的矽半導體技術，但學術界認為5納米已經達到上限。

現時學術界認為，替代矽半導體的物質將是石墨的單原子層｢石墨烯（Graphene）｣。石墨烯之所以被稱為革命性新材料，是因為導熱性能好而且沒有電阻，但僅由導電的氮原子構成，難以製造電路。

白鐘範研究小組製造了將碳和氮以化學方式合成，在石墨烯內製造了不導電的空間，即僅使用導電的部分製造出電路。該新材料通電和不通電時的信號傳達比率（閃爍比率）為1000萬倍。到目前為止，性能最好的矽半導體的閃爍比率為10萬倍。閃爍比率越高，信號傳達越正確，被評價為最優質的半導體。

此外，新材料與不耐熱的半導體不同，溫度在600攝氏度以上時也穩定運轉，該研究結果刊登於本月的國際學術雜誌《Nature Communications》上。