IBM 研發出 PCM

IBM 研發出比快閃記憶體更快、比 DRAM 更可靠的光學儲存科技，有望成為新一代的資料處理科技，電腦、手機、物聯網和雲端人工智能產業都可受惠。這項技術名叫「相變化記憶體（Phase-change memory，PCM）」，透過改變 PCM 上硫化物型態所產生的不同電流來讀寫資料。因具有讀寫速度快、耐用、非揮發性（Non-volatility）等優勢，一直被視為儲存科技的潛力，但在過去受限於成本過高和儲存有限，一個儲存單位（cell）僅能存 1bit，難以應用在電腦和行動裝置上，僅被用在藍光光碟。現在，IBM 研發出 PCM 每儲存單位可存 3bit 而不受周圍溫度影響，突破儲存密度限制可讓 PCM 的成本遠低於 DRAM，大幅度提升 PCM 實際應用於商業的可能。

不像 DRAM 在中斷電力後會失去資料，PCM 和快閃記憶體一樣，在失去電力的情況下也可暫存資料。跟快閃記憶體相比，PCM 可寫入至少 1 千萬次，快閃記憶體平均僅能寫入約 3000 次。此外，PCM 的讀取速度少於 1 微秒，快閃記憶體則 70 微秒，這些特性讓 PCM 有望成為改變數據處理的革新技術。

PCM 的技術革新對電腦和手機都有重要影響，PCM 可用來取代目前 RAM 在電腦的應用，此外，透過 PCM 和快閃記憶體的混合形式，可以大幅提升行動裝置的速度。例如，手機作業系統可儲存在PCM，幾秒內就可開機。從企業運作來看，可將數據庫儲存在 PCM，加快網上服務時間，例如金融交易。雲端人工智能應用也可受惠於 PCM，使用大量數據庫的機器學習演算法，可在每次重複讀取數據時減少延遲時間，加快運行速度。