0981 研發出 40 納米ReRAM

中芯國際正式研發出 40 納米製程的 ReRAM （非易失性阻變式存儲器）記憶體，這種比 NAND 快閃記憶體速度快 1000 倍的新型記憶體，雖然名字中帶 RAM。不過，ReRAM 其實更像 NAND 快閃記憶體那樣用作數據儲存來使用，只不過它的性能更強，具有密度比 DRAM 高 40 倍、讀取速度快 100 倍、寫入速度快 1000 倍、耐久度高 1000 倍的特點，令到 ReRAM 單晶片只約 200 平方毫米左右，即可達到 TB 級容量儲存，而且具備結構簡單和易於製造等優點。