美國研發出高效深紫外線 LED

美國康乃爾大學研究團隊，研發出一種體積小且更環保的深紫外線 LED 光源，並創出目前業界 deep-UV  LED  最低波長紀錄。

研究人員採用原子級控制介面的氮化鎵（GaN）與氮化鋁（AlN）單層薄膜為反應作用區域，成功發射波長介乎  232  至270  納米的深紫外  LED 。這種  232  納米深紫外線創出使用氮化鎵為發光物料，發出的光線波長最短紀錄，之前紀錄由日本團隊創下的 239 納米。

目前紫外線  LED  最大瓶頸是發光效率，可由 3 個方面來衡量：

注入效率：注入反應作用區域的電子通過裝置的比例

內量子效率（IQE）：反應作用區域中所有電子產生光子或紫外線的比例

出光效率：反應作用區域中產生光子比例，這些光子可以從裝置中取出，而且是可以用的

在深紫外線波段，這 3 方面的效率都很低，但研究團隊發現，利用氮化鎵取代傳統鋁氮化鎵，可以提高內量子效率和出光效率。為了提高注入效率，研究團隊採用之前開發出的技術，在正極（電子）和負極（電洞）載體區域，採用極化感應摻雜法來實現。

在成功提升深紫外線 LED  發光效率後，研究團隊下一步是將光源整合到裝置內。